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BPDV3120R	文件：672.88 Kbytes Page：6 Pages	70GHzBalancedPhotodetector	Finisar Finisar Corporation.	Finisar
C3120	文件：73.77 Kbytes Page：1 Pages	TYPECMP/CL3P 3C187/26BCFLEXFLEXTYPECMP/CL3P	GENERALGeneral Electric 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
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CED3120	文件：893.88 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,36A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3120	文件：628.66 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,36A,RDS(ON)=15mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=22mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3120	文件：864.99 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3120	文件：879.43 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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CHM3120PAPT	文件：511.66 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT36Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOchenmko 力勤股份有限公司	CHENMKO

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市维尔达电子有限公司	BCM3120KTP	BCM	2023+		80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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更多BCM3120KTP供应商更新时间2024-9-20 9:20:00

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