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BCM857BS-Q	文件：247.79 Kbytes Page：10 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistor 1.Generaldescription PNP/PNPmatcheddoubletransistorinaverysmallSurface-MountedDevice(SMD)SOT363 (SC-88)plasticpackage.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. 2.Featuresandbenefits •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforst	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM857BV	文件：115.93 Kbytes Page：15 Pages	NPN/NPNmatcheddoubletransistors Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorsinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. Features ■Currentgainmatching ■Base-emittervoltagematching ■Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors Applications ■	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM857BV	文件：2.39367 Mbytes Page：15 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching *Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM857BV	文件：571.84 Kbytes Page：7 Pages	45VMATCHEDPAIRPNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT563 Features BVCEO>-45V IC=-100mAHighCollectorCurrent PairofPNPTransistorsThatAreIntrinsicallyMatched(Note1) 2MatchingonCurrentGain(hFE) 2mVMatchingonBase-EmitterVoltage(VBE) FullyInternallyIsolatedinaSmallSurfaceMountPackage TotallyLead-Free&F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BCM857DS	文件：115.93 Kbytes Page：15 Pages	NPN/NPNmatcheddoubletransistors Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorsinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. Features ■Currentgainmatching ■Base-emittervoltagematching ■Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors Applications ■	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM857DS	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM857DS	文件：2.39367 Mbytes Page：15 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching *Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM857QAS	文件：228.39 Kbytes Page：11 Pages	45V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistors Featuresandbenefits •Reducescomponentcount •Reducespickandplacecosts •Lowpackageheightof0.37mm •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Application-optimizedpinout •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BF857	文件：67.15 Kbytes Page：8 Pages	NPNhigh-voltagetransistors IntegratedCircuits	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BLV857	文件：138.79 Kbytes Page：12 Pages	UHFlinearpush-pullpowertransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanartransistorwithtwosectionsinpush-pullconfiguration.ThedeviceisencapsulatedinaSOT324B4-leadrectangularflangepackagewithaceramiccap.Thecommonemittersareconnectedtotheflange. FEATURES •Internalinputmatchingforanoptimumwidebandcapab	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

产品属性

产品编号：
BC857W-QX
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
125 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PNP 45V 0.1A SOT323

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更多BC857W-QX供应商更新时间2025-7-17 16:41:00

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