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BC857AT	文件：109.69 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC857AT	文件：344.49 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857AT	文件：352.21 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857AT	文件：352.2 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification,especiallyinportableequipment. DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75(SOT416)plasticpackage.NPNcomplements:BC846T;BC847Tseries.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC857A-TP	文件：102.17 Kbytes Page：3 Pages	PNPSmallSignalTransistor310mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC857AW	文件：47.79 Kbytes Page：2 Pages	PNPSURFACEMOUNTSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •IdeallySuitedforAutomaticInsertion •ComplementaryNPNTypesAvailable(BC846AW–BC848CW) •ForswitchingandAFAmplifierApplications •TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.GreenDevice(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BC857AW	文件：273.23 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) Features ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC857AW	文件：229.98 Kbytes Page：8 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes:BC846W,BC847W,BC848W,BC849W,BC850W(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC857AW	文件：184.51 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation200mW •PlasticcaseSOT-323 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC857AW	文件：544.42 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon PbLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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