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BC856BS	文件：100.87 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposetransistor Generaldescription NPN/NPNgeneral-purposetransistorpairinaverysmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollectorcapacitance ■Lowcollector-emittersaturationvoltage ■Closelymatchedcurrentgain ■Reducesnumberofcomponentsandboardspac	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC856BS	文件：1.38872 Mbytes Page：5 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC856BS	文件：301.77 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC856BS	文件：1.10444 Mbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposetransistor Features Lowcollectorcapacitance Lowcollector-emittersaturationvoltage Closelymatchedcurrentgain Reducesnumberofcomponentsandboardspace Nomutualinterferencebetweenthetransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BSH	文件：234.73 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BSH-Q	文件：235.84 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC856BT	文件：153.92 Kbytes Page：9 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC856BT	文件：350.66 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC856BT	文件：145.66 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor Preliminarydata •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BC846T	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BC856BRTC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC856BRTC供应商更新时间2025-5-9 9:20:00

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