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BC856BQC-Q	文件：249.37 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mANPNgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •Highvoltage(max.65V) •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecomme	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BQC-Q	文件：236.46 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BRF	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856BRFG	文件：265.41 Kbytes Page：4 Pages	250mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC856BS	文件：1.38872 Mbytes Page：5 Pages	PNPTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC856BS	文件：301.77 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC856BS	文件：1.10444 Mbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposetransistor Features Lowcollectorcapacitance Lowcollector-emittersaturationvoltage Closelymatchedcurrentgain Reducesnumberofcomponentsandboardspace Nomutualinterferencebetweenthetransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BSH	文件：234.73 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BSH-Q	文件：235.84 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposedoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Closelymatchedcurrentgain •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto175°C •QualifiedaccordingtoA	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC856BT	文件：46.99 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinanSC-75plasticpackage. NPNcomplements:BC846TandBC847T. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplificationespeciallyinportableequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

产品属性

产品编号：
BC856BMTF
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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