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BC856BLT1	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BLT1	文件：211.86 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistors(PNP Silicon) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：211.86 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BC856BLT1	文件：249.88 Kbytes Page：8 Pages	CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) General Purpose Transistors PNP Silicon 文件：249.88 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BC856BLT1G	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	丝印：3B；Package：SOT-23；General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：179.58 Kbytes 页数：8 Pages	FS	FS
BC856BLT1G	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BLT1G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：172.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BLT3	文件：109.14 Kbytes Page：8 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 文件：109.14 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BLT3G	文件：172.95 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors PNP Silicon General Purpose Transistors PNP Silicon Features • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：172.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC856BLT3G	文件：179.58 Kbytes Page：8 Pages	丝印：3B；Package：SOT-23；General Purpose Transistors General Purpose Transistors PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V • We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 文件：179.58 Kbytes 页数：8 Pages	FS	FS
BC856BLT1G	文件：154.41 Kbytes Page：7 Pages	General Purpose Transistors 文件：154.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BC856BLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC856BLT供应商更新时间2025-10-12 22:59:00

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