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BC856XQC-Q_SER	文件：236.46 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotivea	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BS	文件：647.42 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BS/DG	文件：123.22 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCM856BS/DG	文件：647.42 Kbytes Page：14 Pages	PNP/PNPmatcheddoubletransistors Features Currentgainmatching Base-emittervoltagematching Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BSH	文件：236.63 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCM856BSH-Q	文件：237.75 Kbytes Page：10 Pages	65V,100mAPNP/PNPmatcheddoubletransistor Featuresandbenefits •Lowcollectorcapacitance •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching •Drop-inreplacementforstandarddoubletransistors •Nomutualinterferencebetweenthetransistors •High-temperatureapplicationsupto1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
BC856-T
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 0.1A 65V LN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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