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BC856XQB	文件：233.1 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNPgeneral-purposetransistor Featuresandbenefits •Highpowerdissipationcapability •SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint •SmallerfootprintcomparedtoconventionalleadedSMDpackages •Lowpackageheightof0.5mm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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详细参数

型号：
BC856-T
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 0.1A 65V LN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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