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BC856W	文件：249.81 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC856W	文件：376.64 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeSwitchingandAmplification.	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC856W	文件：356.94 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC856W	文件：614.03 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC856W	文件：710.76 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-323PlasticPackage. Features Highcurrent,lowvoltagecomplementarypairwithBC846W. Applications Generalpurposeswitchingandamplification.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BC856W	文件：870.05 Kbytes Page：5 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Ideallysuitedforautomaticinsertion •ForSwitchingandAFAmplifierApplications	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
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BC856W	文件：1.06616 Mbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

详细参数

型号：
BC856-T
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 0.1A 65V LN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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