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BC849B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BC849B
厂商型号

BC849B

参数属性

BC849B 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 0.1A TO236AB

功能描述

Small Signal Transistors (NPN)

丝印标识

2B

封装外壳

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

301.49 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 GE Industrial Company
企业简称

GE

中文名称

GE Industrial Company官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:01:00

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BC849B规格书详情

FEATURES

♦ NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

for switching and AF amplifier applications.

♦ Especially suited for automatic insertion in

thick- and thin-film circuits.

♦ These transistors are subdivided into three

groups A, B and C according to their current gain. The

type BC846 is available in groups A and B, however, the

types BC847 and BC848 can be supplied in all three

groups. The BC849 is a low noise type available in groups

B and C. As complementary types, the PNP transistors

BC856...BC859 are recommended.

产品属性

  • 产品编号:

    BC849B,235

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 30V 0.1A TO236AB

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