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BC847BWT1	文件：207.09 Kbytes Page：6 Pages	CASE 419-02, STYLE 3 SOT-323/SC-70 GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉
BC847BWT1	文件：147.54 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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BC847BWT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LBC847BWT1	文件：155.35 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC847BWT1G	文件：550.37 Kbytes Page：9 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBC847BWT1G	文件：284.28 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
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详细参数

型号：
BC847BWT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 50V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC847BWT1供应商更新时间2024-4-26 15:51:00

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