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BC847C	文件：218.99 Kbytes Page：5 Pages	NPNSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC847C	文件：301.49 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistors forswitchingandAFamplifierapplications. ♦Especiallysuitedforautomaticinsertionin thick-andthin-filmcircuits. ♦Thesetransistorsaresubdividedintothree groupsA,BandCaccordingtotheircurrentgain.The typ	GE GE Industrial Company	GE
BC847C	文件：619.9 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ForgeneralAFapplications Highcollectorcurrent Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage	OLITECHOlitech Electronics Co.,Ltd 奥力特电子奥力特电子科技有限公司	OLITECH
BC847C	文件：1.66599 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC847C	文件：857.31 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
BC847C	文件：595.99 Kbytes Page：5 Pages	EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating NPNSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BC847C	文件：146.06 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistors	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
BC847C	文件：220 Kbytes Page：6 Pages	NPNgeneralpurposeTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BC847C	文件：121.72 Kbytes Page：9 Pages	SMDNPNTransistor GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V,MachineModel:>400V •Epitaxialplanachipconstruction •Idealformediumpowerapplicationandswitching •Ascomplementarytype,thePNPtransistor	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
BC847C	文件：449.82 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS ForuseinDriverStagesofAudioAmplifierinThickandThin-filmHybridCircuits	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

产品属性

产品编号：
BC847BW-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
管件
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT323

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