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BC847BW	文件：233.44 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BW	文件：712.88 Kbytes Page：5 Pages	ForSwitchingandAFAmplifierApplications FEATURES Ideallysuitedforautomaticinsertion ForSwitchingandAFAmplifierApplications	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
BC847BW	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC847BW	文件：1.84399 Mbytes Page：13 Pages	NPNSiliconEpitaxialGeneralPurposeTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC847BW-G	文件：135.09 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC847BW-G	文件：129.77 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC847BWQ	文件：876.94 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BC847BW-Q	文件：126.13 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC847BW-Q	文件：223.53 Kbytes Page：12 Pages	45V,100mANPNgeneral-purposetransistors Featuresandbenefits •General-purposetransistors •SMDplasticpackages •Threedifferentgainselections •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveapplications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC847BW-TP	文件：794.27 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors Features •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.65V) •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
BC847BV-TP
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 40V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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