BC847中文资料BC847: (Legacy Fairchild) Low and Medium Voltage NPN Bipolar Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号 |
BC847 |
参数属性 | BC847 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 45V 100MA SOT23 |
功能描述 | BC847: (Legacy Fairchild) Low and Medium Voltage NPN Bipolar Transistor |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-28 22:59:00 |
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BC847规格书详情
描述 Description
The Low and Medium Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT723 package, which is designed for low power surface mount applications.
特性 Features
This is a PbFree Device
简介
BC847属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC847晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BC847
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: (Legacy Fairchild) Low and Medium Voltage NPN Bipolar Transistor
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = 10 mA
- IC Cont. (A)
:0.1
- VCEO Min (V)
:45
- VCBO (V)
:50
- VEBO (V)
:6
- VBE(sat) (V)
:0.7
- VBE(on) (V)
:0.66
- hFE Min
:Condition: IC = 2mA
- hFE Max
:Condition: IC = 2mA
- fT Min (MHz)
:300
- PTM Max (W)
:0.31
- Package Type
:SOT-23-3
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