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BF556A	文件：100.6 Kbytes Page：11 Pages	N-channelsiliconjunctionfield-effecttransistors DESCRIPTION N-channelsymmetricalsiliconjunctionfield-effecttransistorsinaSOT23package. FEATURES •Lowleakagelevel(typ.500fA) •Highgain •Lowcut-offvoltage. APPLICATIONS •Impedanceconvertersine.g.electretmicrophonesand infra-reddetectors •VHFamplifiersinos	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF556A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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