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BC51-10PAS-Q	文件：263.77 Kbytes Page：11 Pages	45 V, 1 A PNP medium power transistors 1.Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesencapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D) leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityand visibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits •Highcollectorcurrentcapa	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP51-10	文件：455.41 Kbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •ForAFdriverandoutputstages •Highcollectorcurrent •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN) •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BCP51-10	文件：48.02 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54...BCP56(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP51-10	文件：140.02 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForAFdriverandoutputstagesHighcollectorcurrent) PNPSiliconAFTransistors ●ForAFdriverandoutputstages ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BCP54…BCP56(NPN)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCP51-10	文件：1.06086 Mbytes Page：22 Pages	45V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP51-10T	文件：274.29 Kbytes Page：14 Pages	45V,1ANPNmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP51-10T	文件：273.44 Kbytes Page：14 Pages	45V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Threecurrentgainselections •Highpowerdissipationcapability •AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX51-10	文件：1.06086 Mbytes Page：22 Pages	45V,1APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCX51-10	文件：335.96 Kbytes Page：6 Pages	TRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
BCX51-10	文件：265.5 Kbytes Page：6 Pages	TRANSISTOR(PNP)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳兆威电子有限公司	BC51-10PASX	Nexperia/安世	22+	SOT1061D	120000	原厂原装正品现货	询价
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