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BC307A	文件：69.33 Kbytes Page：5 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR SwitchingandAmplifierApplications •LowNoise:BC309	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC307A	文件：151.41 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistorsDeisgnedForSmallSignalAmplification FromDCToLowRadioFrequencies	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC307B	文件：69.33 Kbytes Page：5 Pages	PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR SwitchingandAmplifierApplications •LowNoise:BC309	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC307B	文件：110.68 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors(PNP) AmplifierTransistors PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC307B	文件：84.07 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors(PNPSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC307B	文件：52.42 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistors DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. NPNcomplements:BC237andBC237B. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC307B	文件：93.27 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC307B	文件：54.82 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistorsPNPSilicon AmplifierTransistors PNPSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC307B	文件：151.41 Kbytes Page：5 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS GeneralPurposeTransistorsDeisgnedForSmallSignalAmplification FromDCToLowRadioFrequencies	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BC307C	文件：84.07 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistors(PNPSilicon)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
BC307_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP -45V -100mA HFE/8
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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