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BC182L	文件：26.34 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationatcollectorcurrentsto100mA. •Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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BC182L	文件：71.84 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationatcollectorcurrentsto100mA. •Sourcedfromprocess10.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BC182L	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
BC182L	文件：75.84 Kbytes Page：1 Pages	LowLevelandGeneralPurposeAmplifiers	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC182LA	文件：133.96 Kbytes Page：1 Pages	3LDTO-92,MOLDEDSTDSTRAIGHTLD SILICONNPNSMALLSIGNALTRANSISTOR BVCEO....50V(Min) hFE....80(Min)@VCE=5.0V,IC=100mA	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC182LB	文件：27.33 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplicationat collectorcurrentsto100mA. •Sourcedfromprocess10.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
BC182B_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 50V 100mA HFE/5
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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