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BTS120	文件：310.5 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS120	文件：445.86 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS120	文件：332.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU120	文件：12.14 Kbytes Page：1 Pages	BipolarNPNDeviceinaHermeticallysealedTO3MetalPackage	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BU120	文件：190.12 Kbytes Page：2 Pages	Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=200V(Min)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BU120	文件：129.47 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BVND-M120GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABBabb ABB集团ABB（中国）有限公司	ABB
BYX120G	文件：25.83 Kbytes Page：4 Pages	High-voltagesoft-recoverycontrolledavalancherectifier DESCRIPTION Ruggedglasspackage,usingahightemperaturealloyedconstruction. Thispackageishermeticallysealedandfatiguefreeascoefficientsofexpansionofallusedpartsarematched. Thepackageisdesignedtobeusedinaninsulatingmediumsuchasresin,oilorSF6gas. FEATURES	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BZT120	文件：386.73 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarZenerDiodes	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
BZT120	文件：162.33 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC

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