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BAV70LT3	文件：52.62 Kbytes Page：4 Pages	Dual Switching Diode Common Cathode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAV70LT3G	文件：130.1 Kbytes Page：4 Pages	Dual Switching Diode Common Cathode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BAV70LT3G	文件：94.44 Kbytes Page：4 Pages	Dual Switching Diode Common Cathode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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BAV70LT3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LBAS70LT3G	文件：66.24 Kbytes Page：4 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODELowforwardcurrent DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable. WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. Features ●Lowforwardcurrent ●Highbreakdownvolta	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBCW70LT3G	文件：344.26 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
SBAV70LT3G	文件：94.44 Kbytes Page：4 Pages	DualSwitchingDiodeCommonCathode Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
BAV70LT3
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 70V 200mA Dual
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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