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BAV199WTQ	文件：759.17 Kbytes Page：4 Pages	HighSpeedSwitchingDiode	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
BCR199	文件：174.41 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR199F	文件：174.41 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCR199T	文件：174.41 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconDigitalTransistor PNPSiliconDigitalTransistor •Switchingcircuit,inverter,interfacecircuit,drivercircuit •Builtinbiasresistor(R1=47kΩ)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BF199	文件：50.36 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALRFTRANSISTOR	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BF199	文件：144.72 Kbytes Page：6 Pages	RFTransistor RFTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BF199	文件：54.57 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumfrequencytransistor DESCRIPTION NPNmediumfrequencytransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.25mA) •Lowvoltage(max.25V). APPLICATIONS •OutputstageofavisionIFamplifier.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF199	文件：25.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNRFTransistor NOTES: 1)Theseratingsarebasedonamaximumjunctiontemperatureof150degreesC. 2)Thesearesteadystatelimits.Thefactoryshouldbeconsultedonapplicationsinvolvingpulsedorlowdutycycleoperations	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BF199	文件：138.87 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTOR RFTransistor	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BF199	文件：301.65 Kbytes Page：1 Pages	PNPOUTPUTTRANSISTOR	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
BAV199-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
散装
二极管配置：
1 对串联
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
215mA（DC）
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
DIODE ARRAY GP 70V 215MA SOT23

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