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FDD86113

100VN-ChannelMOSFET

Features ShieldedGateMOSFETTechnology HBMESDprotectionlevel>6kVtypical(Note4) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(on) Highpowerandcurrenthandlingcapabilityinawidelyused surfacemountpackage VDS=100V ID(atVGS=10V)4.2A RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWUMW

友台友台半导体

FDD86113LZ

100VN-ChannelMOSFET

Features ShieldedGateMOSFETTechnology HBMESDprotectionlevel>6kVtypical(Note4) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(on) Highpowerandcurrenthandlingcapabilityinawidelyused surfacemountpackage VDS=100V ID(atVGS=10V)4.2A RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWUMW

友台友台半导体

FDD86113LZ

N-ChannelShieldedGatePowerTrench짰MOSFET100V,5.5A,104m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDD86113LZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=104mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

FDT86113LZ

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET100V,3.3A,100m

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDT86113LZ

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    BAT86113

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 制造商:

    NXP

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

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更多BAT86113供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00