Silicon Schottky Diode

Silicon Schottky Diode • RF Schottky diode for mixer applications up to 26 GHz • Extremely low inductance combined with ultra low device capacitance • Very stable performance for all major parameters • Package size: 0.62 x 0.31 x 0.31 mm³ only • Pb-free (RoHS compliant) package

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RF 混频器和探测器肖特基二极管

英飞凌射频肖特基二极管是一种硅低势垒 N 型器件，片上带有集成保护环，用于过压保护。其低势垒高度、小正向电压二极管和低结电容，使 BAT24 - 02LS 成为频率高达 24 GHz 的应用中混频器和检测器功能的合适选择 • 低电感 LS = 0.2 nH（典型值）\n• TSSLP-2-1 封装（0.62 mm x 0.32 mm x 0.31 mm），尺寸为 0201\n• 无铅（符合 RoHS 标准）和无卤素;

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