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BAS70-06W	文件：1.43572 Mbytes Page：24 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS70-06W	文件：346.47 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODES SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODES SOT-323FormedSMDPackage UltraHighSpeedSwitchingDiodes	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BAS70-06W	文件：892.24 Kbytes Page：8 Pages	General-purposedualSchottkydiode 1.Generaldescription General-purposedualSchottkydiodeinasmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance 3.Applications •Ultrahigh-speedswitch	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS70-06W	文件：271.56 Kbytes Page：23 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS70-06W	文件：217.37 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes FEATURES •LowTurn-onvoltage •LowForwardVoltage-0.75V(Max)@IF=10mA •VeryLowCapacitance-LessThan2.0pF@0V Forhighspeedswitchingapplication,circuitprotection	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS70-06W	文件：553.37 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS70-06W	文件：172.73 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiode ●General-purposediodesforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectionandmixing	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS70-06W	文件：50.45 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE DESCRIPTION SchottkybarrierdiodesencapsulatedeitherinSOT-323orSOD-323smallSMDpackages. Singleanddoublediodeswithdifferentpiningareavailable. FEATURESANDBENEFITS ■VERYSMALLCONDUCTIONLOSSES ■NEGLIGIBLESWITCHINGLOSSES ■LOWFORWARDVOLTAGEDROP ■SURFACEMOUNTDEVIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-06W	文件：55.79 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-06W	文件：46.41 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes Features •Lowforwardvoltage •Highbreakdownvoltage •Guardringprotected •VerysmallSMDpackage •Lowcapacitance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

产品属性

产品编号：
BAS70-06-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
系列：
BAS70-xx-HF
包装：
散装
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
70mA（DC）
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3

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