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BAS70-05-TP	文件：294.39 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Diode 200 mWatt DESCRIPTION VariousconfigurationsofSchottkybarrier’sdiodesinSOT-23packageareprovidedforgeneral-purposeuseinhigh-speedswitching,mixersanddetectorapplications.Theymayalsobeusedforsignalintegrityandcounteractthetransmission-lineeffectswith(PC)boardtrancesbycla	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAS70-05-TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
ABAS70-05-HF	文件：486.53 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalSchottkyDiodes Features -EpoxymeetsUL-94V-0flammabilityrating. -MoisturesensitivityLevel1. -AEC-Q101Qualified. -Lowforwardvoltageschottkyrectifier.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAP70-05	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP70-05	文件：42.27 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP70-05	文件：47.94 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS70-05	文件：137.22 Kbytes Page：20 Pages	General-purposeSchottkydiodes	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-05	文件：249.06 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES70mAMPERES70VOLTS Description: Theseschottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplicationscircuitprotection,andvoltageclamping,Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss,Miniaturesurfacemountpackageisexcellentfor	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BAS70-05	文件：278.84 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS70-05	文件：51.73 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes FEATURES ♦Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltageandfastswitching. ♦ThesedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges.	GE GE Industrial Company	GE
BAS70-05	文件：52.6 Kbytes Page：1 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Description 70mAsurfacemountSchottkyBarrierDiodeinSOT23package,offerslowforwardvoltagedropandfastswitchingcapability,designedwithPNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection. FeaturesandBenefits •LowTurn-OnVoltage •FastSwitching •PNJunctionGuardRingf	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS70-05	文件：76.11 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSchottky-BarrierSingle-/Double-Diodes •Powerdissipation310mW •Repetitivepeakreversevoltage70V •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BAS70-05	文件：553.37 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BAS70-05	文件：131.31 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYarraySERIES	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
BAS70-05	文件：61.78 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-05	文件：224.43 Kbytes Page：4 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODES DESCRIPTION Lowturn-onandhighbreakdownvoltagediodesintendedforultrafastswitchingandUHFdetectorsinhybridmicrocircuits.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-05	文件：56.82 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes Features •LowTurn–onVoltage •FastSwitching •PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection Applications •Fastswitchesinthickandthinfilmcircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
BAS70-05	文件：108.53 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyDiodes(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclampingHigh-leveldetectingandmixing) Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •General-purposediodesforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Hermeticallysealedmicrowavepackage •eesaqualified •ESA/SCCDetailSpec.No.:5512/020	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BAS70-05	文件：66.64 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKYDIODE FEATURES Powerdissipation PD:200mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent IF:200mA Collector-basevoltage VR:70V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
BAS70-05	文件：113.59 Kbytes Page：2 Pages	200mWattsSurfaceMountSchottkyBarrierDiode FEATURES -Lowturn-onvoltage -Fastswitching -PNjunctionguardringfortransientandESDprotection	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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产品属性

产品编号：
BAS70-05-TP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管配置：
1 对共阴极
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
70mA（DC）
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
-55°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23
描述：
DIODE ARRAY SCHOTTKY 70V SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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