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BAS70-04-V-GS08	文件：156.54 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Schottky Diodes, Single & Dual Features •Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltageandfastswitching •ThesedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-04-V-GS18	文件：156.54 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal Schottky Diodes, Single & Dual Features •Thesediodesfeatureverylowturn-onvoltageandfastswitching •ThesedevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarges •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS70-04W	文件：217.37 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierDiodes FEATURES •LowTurn-onvoltage •LowForwardVoltage-0.75V(Max)@IF=10mA •VeryLowCapacitance-LessThan2.0pF@0V Forhighspeedswitchingapplication,circuitprotection	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAS70-04W	文件：224.44 Kbytes Page：20 Pages	General-purposeSchottkydiodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS70-04W	文件：46.41 Kbytes Page：1 Pages	Schottkybarrier(double)diodes Features •Lowforwardvoltage •Highbreakdownvoltage •Guardringprotected •VerysmallSMDpackage •Lowcapacitance.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS70-04W	文件：137.22 Kbytes Page：20 Pages	General-purposeSchottkydiodes	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-04W	文件：553.37 Kbytes Page：12 Pages	SiliconSchottkyDiode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS70-04W	文件：172.73 Kbytes Page：4 Pages	SiliconSchottkyDiode(General-purposediodesforhigh-speedswitchingCircuitprotectionVoltageclamping) SiliconSchottkyDiode ●General-purposediodesforhigh-speedswitching ●Circuitprotection ●Voltageclamping ●High-leveldetectionandmixing	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS70-04W	文件：50.45 Kbytes Page：5 Pages	SMALLSIGNALSCHOTTKYDIODE DESCRIPTION SchottkybarrierdiodesencapsulatedeitherinSOT-323orSOD-323smallSMDpackages. Singleanddoublediodeswithdifferentpiningareavailable. FEATURESANDBENEFITS ■VERYSMALLCONDUCTIONLOSSES ■NEGLIGIBLESWITCHINGLOSSES ■LOWFORWARDVOLTAGEDROP ■SURFACEMOUNTDEVIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-04W	文件：55.79 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes Generaldescription General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Features ■Highswitchingspeed ■Lowleakagecurrent ■Highbreakdownvoltage ■Lowcapacitance Applications ■Ultrahigh-speedswitching ■Voltageclamping	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS70-04W	文件：346.47 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODES SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODES SOT-323FormedSMDPackage UltraHighSpeedSwitchingDiodes	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BAS70-04W	文件：1.43572 Mbytes Page：24 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS70-04W	文件：224.44 Kbytes Page：20 Pages	General-purposeSchottkydiodesinsmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS70-04W	文件：271.56 Kbytes Page：23 Pages	SiliconSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS70-04W	文件：2.18718 Mbytes Page：18 Pages	SurfaceMountSwitchingDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BAS70-04W	文件：1.024619 Mbytes Page：8 Pages	General-purposedualSchottkydiode 1.Generaldescription General-purposedualSchottkydiodeinasmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance 3.Applications •Ultrahigh-speedswitch	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS70-04WFILM	文件：183.8 Kbytes Page：14 Pages	Lowcapacitance,lowseriesinductanceandresistanceSchottkydiodes Description TheBAS70seriesuses70VSchottkybarrierdiodespackagedinSOD-123,SOD-323,SOD-523,SOT-23,SOT-323,SOT-323-6LorSOT-666.ThesediodesarespeciallysuitedforsignaldetectionandtemperaturecompensationinRFapplications. Features ■Verylowconductionlosses ■Neg	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BAS70-04W-Q	文件：196.46 Kbytes Page：8 Pages	General-purposedualSchottkydiode 1.Generaldescription General-purposedualSchottkydiodeinasmallSOT323(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed •Lowleakagecurrent •Highbreakdownvoltage •Lowcapacitance •QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecomm	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
GMBAS70-04	文件：617.1 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODE	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司(简称‘桂微’)	GSME
SKN70-04	文件：359.7 Kbytes Page：3 Pages	RectifierDiode Features ●Reversevoltagesupto1600V ●Hermeticmetalcasewithglassinsulator ●ThreadedstudISOM8 ●SKN:anodetostud,SKR:cathodetostud	SemikronSemikron International 赛米控丹佛斯	Semikron

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详细参数

型号：
BAS70-04-V-G
功能描述：
肖特基二极管与整流器 70 Volt 200mA Dual Common Anode
RoHS：
否
制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
产品：
Schottky Diodes
峰值反向电压：
2 V
正向连续电流：
50 mA
配置：
Crossover Quad
正向电压下降：
370 mV
最大功率耗散：
75 mW
工作温度范围：
- 65 C to + 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-143
封装：
Reel

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更多BAS70-04-V-G供应商更新时间2024-9-24 9:10:00

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