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BAS40-06	文件：58.61 Kbytes Page：8 Pages	Marking：46*；Package：SOT-23；Schottky barrier double diodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdiodeswithanintegratedguardringforstressprotection.Singlediodesanddoublediodeswithdifferentpinningareavailable.ThediodesBAS40,BAS40-04,BAS40-05andBAS40-06areencapsulatedinaSOT23smallplasticSMDpackage.TheBAS40-07isencapsulat	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS40-06	文件：56.88 Kbytes Page：4 Pages	Marking：46；Package：SOT-23；Surface Mount Schottky Barrier Diodes Features ●LowTurn–onVoltage ●FastSwitching ●PNJunctionGuardRingforTransientandESD Protection Applications Fastswitchesinthickandthinfilmcircuits	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAS40-06	文件：108.44 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Schottky Diodes (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping) HiRelSiliconSchottkyDiode Features •HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor •General-purposediodesforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Hermeticallysealedmicrowavepackage •ESAQualificationpending	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAS40-06	文件：155.24 Kbytes Page：2 Pages	Marking：K46；Package：SOT-23；SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Description 200mAsurfacemountSchottkyBarrierDiodeinSOT23package,offerslowforwardvoltagedropandfastswitchingcapability,designedwithPNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection,totallylead-freefinishandRoHScompliant,”Green”device. FeaturesandBenefits •Low	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS40-06	文件：51.84 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diodes FEATURES ♦Thesediodesfeatureverylowturn-on voltageandfastswitching. ♦ThesedevicesareprotectedbyaPN junctionguardringagainstexcessive voltage,suchaselectrostaticdischarges.	GE GE Industrial Company	GE
BAS40-06	文件：506.85 Kbytes Page：8 Pages	Marking：46S；Package：SOT-23；Silicon Schottky Diode SiliconSchottkyDiode •General-purposediodeforhigh-speedswitching •Circuitprotection •Voltageclamping •High-leveldetectingandmixing •Pb-free(RoHScompliant)package •QualifiedaccordingAECQ1011)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAS40-06	文件：248.49 Kbytes Page：2 Pages	Marking：46；Package：SOT-23；Surface mount Schottky-Barrier Single-/ Double-Diodes Features Veryhighswitchingspeed Lowjunctioncapacitance Lowleakagecurrent ComplianttoRoHS,REACH, ConflictMinerals1) TypicalApplications Signalprocessing,High-speed switching,Polarityprotection Commercialgrade1) MechanicalData1) Tapedandre	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BAS40-06	文件：203.85 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Diodes Description: Theseschottkybarrierdiodesaredesignedforhighspeedswitchingapplicationscircuitprotection,andvoltageclamping,Extremelylowforwardvoltagereducesconductionloss,Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhandheldandportableapplicationswherespaceislimite	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
BAS40-06	文件：257.2 Kbytes Page：3 Pages	Marking：K46；Package：SOT-23；SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER DIODE Features •LowForwardVoltageDrop •FastSwitching •PNJunctionGuardRingforTransientandESDProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BAS40-06	文件：66.17 Kbytes Page：1 Pages	SCHOTTKY DIODE FEATURES Powerdissipation PD:200mW(Tamb=25℃) ForwardCurrent IF:200mA ReverseVoltage VR:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL

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产品属性

产品编号：
BAS40X
制造商：
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
200mA
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr、F 时电容：
5pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-79，SOD-523
供应商器件封装：
SOD-523
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD523

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	BAS40H	恩XP	2020+	SOD-123	3000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	BAS40H	恩XP	13+		5102	原装分销	询价
深圳市一线半导体有限公司	BAS40W	恩XP	24+	SOT-323	87200	新进库存/原装	询价
深圳市弘为电子有限公司	BAS40W	PHI	24+	原厂封装	3000	原装现货假一罚十	询价
深圳市联世界科技有限公司	BAS40E	SIEM	24+/25+		45280	原装正品现货库存价优	询价
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更多BAS40_供应商更新时间2025-7-20 13:58:00

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