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BAS21HT1	文件：49.1 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
BAS21HT1	文件：1.2334 Mbytes Page：59 Pages	SINGLE-CHIP DUAL PROSLIC® Si32260/1Features TwocompleteFXSchannelsinasingle 6x8mmor8x8mmpackage PerformsallBORSCHTfunctions Idealforshort-orlong-loopapplications Ultralowpowerconsumption Internalbalancedorunbalancedringing Patentedlowpowerringing Adaptiveringing S	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司
BAS21HT1	文件：45.91 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS21HT1	文件：93.05 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS21HT1G	文件：60.93 Kbytes Page：2 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE Lead free product HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Leadfreeproduct	ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司
BAS21HT1G	文件：58.41 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS21HT1G	文件：1.09869 Mbytes Page：3 Pages	HIGH VOLTAGE SWITCHING DIODE HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101 QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
BAS21HT1_10	文件：93.05 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS21HT1G	文件：45.91 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS21HT1G	文件：94.65 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS21HT1G	文件：173.71 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Switching Diode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
BAS21HT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-76，SOD-323 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
LBAS21HT1	文件：120.5 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE •DeviceMarking:JS	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LBAS21HT1G	文件：1.09869 Mbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101 QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
LBAS21HT1G	文件：1.09869 Mbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirements. ●S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC-Q101 QualifiedandPPAPCapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
NSVBAS21HT1G	文件：94.65 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NSVBAS21HT1G	文件：58.41 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageSwitchingDiode Features •NSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NSVBAS21HT1G	文件：173.71 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

型号：
BAS21HT1
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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