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BAS21DW5T1	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available 文件：52.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21DW5T1	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21DW5T1G	文件：52.88 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available 文件：52.88 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21DW5T1G	文件：110.37 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：110.37 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21DW5T1G	文件：75.93 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable 文件：75.93 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21DW5T1G	文件：110.32 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：110.32 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21DW5T1G	文件：128.41 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：128.41 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21DW5T1G	文件：131.96 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage Switching Diode 文件：131.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BAS21DW5T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP 250V 200MA SOT353	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
BAS21DW5T1
功能描述：
二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
产品：
Switching Diodes
峰值反向电压：
600 V
正向连续电流：
200 A
最大浪涌电流：
800 A
恢复时间：
2000 ns
正向电压下降：
1.25 V
最大反向漏泄电流：
300 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
ISOTOP
封装：
Tube

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