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BAR141E6327HTSA1

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 射频 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3

Infineon

英飞凌

BCR141E6327

NPN Silicon Digital Transistor

NPN Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit driver circuit • Built in bias resistor (R1=10 kΩ, R2=47 kΩ) • BCR135S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package • BCR135S: For orientation in reel see package

文件:873.4 Kbytes 页数:11 Pages

Infineon

英飞凌

BAR43S

ON
SOT-23

ON

BAR6403WE6327HTSA1

INFINEON
SOD323

BAR8802VH6327XTSA1

Infineon(英飞凌)
SC-79-2

Infineon(英飞凌)

上传:深圳市宝芯创电子有限公司

Infineon(英飞凌)

产品属性

  • 产品编号:

    BAR141E6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    PIN - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    100V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    0.5pF @ 50V,1MHz

  • 不同 If、F 时电阻:

    12 欧姆 @ 10mA,100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT23

  • 描述:

    RF DIODE PIN 100V 250MW SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BAR141E6327供应商 更新时间2025-10-4 14:14:00