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BA3414L	文件：242.43 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicICs	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
BM3414	文件：229.11 Kbytes Page：5 Pages	Single-SupplyDualHighCurrentOperational/AudioAmplifier	booklyBookly Micro electronic 百力微电子上海百力微电子股份有限公司	bookly
CO3414	文件：234.77 Kbytes Page：4 Pages	Single-supplyDualHighCurrentOperationalAmplifier	Ceramate Ceramate Technical	Ceramate
CPH3414	文件：27.83 Kbytes Page：4 Pages	Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications Ultrahigh-SpeedSwitchingApplications Features •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswitching. •2.5Vdrive.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
DMG3414U	文件：147 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •25mΩ@VGS=4.5V •29mΩ@VGS=2.5V •37mΩ@VGS=1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Quali	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG3414U	文件：112.75 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •25mΩ@VGS=4.5V •29mΩ@VGS=2.5V •37mΩ@VGS=1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHigh	TYSEMITY Semiconductor Co., Ltd 台湾TY半导体台湾TY半导体有限公司	TYSEMI
DMG3414U	文件：168.66 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •25mΩ@VGS=4.5V •29mΩ@VGS=2.5V •37mΩ@VGS=1.8V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHigh	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
DMG3414UQ	文件：194.12 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/Output	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
F-3414	文件：23.47 Kbytes Page：1 Pages	LowPassFilters	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
KO3414	文件：53.51 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementMode Features •VDS(V)=20V •ID=4.2A(VGS=4.5V) •RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSM3414	文件：256.37 Kbytes Page：4 Pages	AdvancedhighcelldenitytrenchtechnologyforultraRDS(ON)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
LM3414	文件：401.38 Kbytes Page：20 Pages	1A60W*CommonAnodeCapableConstantCurrentBuckLEDDriverRequiresNoExternalCurrentSensingResistor	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM3414	文件：1.67421 Mbytes Page：32 Pages	60-WCommonAnode-CapableConstantCurrentBuckLEDDriverRequiresNoExternalCurrentSensingResistor	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
LM3414	文件：1.25263 Mbytes Page：25 Pages	1A60WCommonAnodeCapableConstantCurrentBuckLEDDriverRequiresNo	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
LM3414	文件：870.94 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
LM3414HV	文件：401.38 Kbytes Page：20 Pages	1A60W*CommonAnodeCapableConstantCurrentBuckLEDDriverRequiresNoExternalCurrentSensingResistor	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LM3414HVMR	文件：401.38 Kbytes Page：20 Pages	1A60W*CommonAnodeCapableConstantCurrentBuckLEDDriverRequiresNoExternalCurrentSensingResistor	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BA3414L供应商更新时间2024-9-21 10:50:00

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