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B520CQ	文件：431.4 Kbytes Page：5 Pages	5.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
B520CQ-13-F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-214AB，SMC；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 5A SMC	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
BA520	文件：163.33 Kbytes Page：1 Pages	SilicljeveplanarnesignalnediodeSiliconplanarsignaldiodes	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BD520	文件：91.91 Kbytes Page：2 Pages	PNPILICONANNULARAMPLIFIERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BFC520	文件：102 Kbytes Page：12 Pages	NPNwidebandcascodetransistor DESCRIPTION Cascodeamplifierwithtwodiscretediesinasurfacemount,5-pinSOT353(S-mini)package.TheamplifierisprimarilyintendedforlowpowerRFcommunicationsequipment,suchaspagersandcordlessphonesandhasaverylowfeedbackcapacitanceresultinginhighisolation. FEATURES	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFE520	文件：59.28 Kbytes Page：8 Pages	NPNwidebanddifferentialtransistor DESCRIPTION EmittercoupleddualNPNsiliconRFtransistorinasurfacemount5-pinSOT353(S-mini)package.ThetransistorisprimarilyintendedforapplicationsintheRFfrontendasabalancedmixer,adifferentialamplifierinanaloganddigitalcellularphones,andincordlessphones,pager	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520	文件：146.15 Kbytes Page：13 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforapplicationsintheRFfrontendintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners(SATV)andrepeateramplifiersinfibre-	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG520	文件：316.04 Kbytes Page：14 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforapplicationsintheRFfrontendintheGHzrange, suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners(SATV)andrepeateramplifiersinfibre	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFG520	文件：360.25 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION •LowNoiseFigure NF=1.3dBTYP.@VCE=8V,IC=10mA,f=900MHz •HighGain ︱S21︱2=16dBTYP.@VCE=8V,IC=40mA,f=900MHz •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseinlownoise,h	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BFG520	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

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