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B2D08065KS	文件：594.33 Kbytes Page：7 Pages	丝印：B2D08065KS；Package：TO-220-isolated；SiC Schottky Diode Features ⚫ Ceramic package provides 2.5kV isolation ⚫ Extremely low reverse current ⚫ No reverse recovery current ⚫ Temperature independent switching ⚫ Positive temperature coefficient on VF ⚫ Excellent surge current capability ⚫ Low capacitive charge Applications ⚫ Switch mode power su 文件：594.33 Kbytes 页数：7 Pages	BASICSEMI 基本半导体	BASICSEMI
B2D08065KS	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V SiC Schottky Diode	BASiC 基本半导体	BASiC
B2D08065K	文件：1.34344 Mbytes Page：7 Pages	SiC Schottky Diode Features Extremely low reverse current No reverse recovery current Temperature independent switching Positive temperature coefficient on VF Excellent surge current capability Low capacitive charge Applications Switch mode power supplies (SMPS) Uninterruptible power supplies Motor drive 文件：1.34344 Mbytes 页数：7 Pages	BASICSEMI 基本半导体	BASICSEMI
B2P3-VH(LF)(SN)	文件：0 bytes Page：0 Pages	/	JST/日压上传：深圳市骏创达科技有限公司	JST/日压
B2P3-VH-FB-B(LF)(SN)	文件：0 bytes Page：0 Pages		JST/日压上传：深圳市英创达电子半导体有限公司	JST/日压

更多B2D08065KS供应商更新时间2022-10-9 9:39:00