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BC2003DW	文件：327.08 Kbytes Page：6 Pages	N/PChannelEnhancementMOSFET Features NChannel VDS=20V,ID=3A RDS(ON)=26mΩ@VGS=4.5V RDS(ON)=32mΩ@VGS=2.5V PChannel VDS=-20V,ID=-3A RDS(ON)=67mΩ@VGS=-4.5V RDS(ON)=90mΩ@VGS=-2.5V MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BGA2003	文件：100.4 Kbytes Page：12 Pages	SiliconMMICamplifier DESCRIPTION SiliconMMICamplifierconsistingofanNPNdoublepolysilicontransistorwithintegratedbiasingforlowvoltageapplicationsinaplastic,4-pinSOT343Rpackage. FEATURES •Lowcurrent •Veryhighpowergain •Lownoisefigure •Integratedtemperaturecompensatedbiasing •Con	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGU2003	文件：62.38 Kbytes Page：8 Pages	SiGeMMICamplifier	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BH-2003	文件：565.32 Kbytes Page：3 Pages	BH-2modularfuseblocks,700V,400A	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
BQ2003	文件：139.21 Kbytes Page：15 Pages	Fast-ChargeIC	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2003	文件：482.99 Kbytes Page：18 Pages	Fast-ChargeIC	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
BQ2003	文件：273.36 Kbytes Page：20 Pages	Fast-ChargeIC Features ➤Fastchargeandconditioningof nickelcadmiumornickel-metal hydridebatteries ➤HystereticPWMswitch-mode currentregulationorgatedcontrol ofanexternalregulator ➤Easilyintegratedintosystems orusedasastand-alonecharger ➤Pre-chargequalificationoftemperature	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
BQ2003PN	文件：139.21 Kbytes Page：15 Pages	Fast-ChargeIC	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
B2003CO
制造商：
Laird Technologies Inc
功能描述：
MISCACC,RC, B2003

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