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BAT160	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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BAT160A	文件：52.56 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediodes DESCRIPTION PlanarSchottkybarrierdoublediodesencapsulatedinaSOT223plasticSMDpackage. FEATURES •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •PlasticSMDpackage. APPLICATIONS •Lowpowerswitched-modepower	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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BAT160A	文件：196.84 Kbytes Page：8 Pages	Schottkybarrierdoublediode 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierdoublediodeencapsulatedinaSOT223(SC73)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Lowswitchinglosses •Capabilityofabsorbingveryhighsurgecurrent •Fastrecoverytime •Guardringprotected •Plasti	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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