| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
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INFINEONSOP |
29599 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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NEXPERIASOT23 |
123000 |
19+ |
原装现货只有原装 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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Nexperia/安世SOT-23 |
14113 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
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NXPSOT23 |
3000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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NXP/恩智浦SOT23-3 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市近平电子有限公司8年
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FAIRCHILDSOT23 |
6000 |
12+ |
原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
21157 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦SOT23 |
33000 |
15+ |
原装进口现货,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美SOT23 |
16889 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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NEXPERIASOT23 |
129449 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
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SSCPSSCP |
9852 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
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ONSEMISOT-23 |
20000 |
23+ |
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深圳市富利微电子科技有限公司8年
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NEXPERIA/安世SOT23 |
33500 |
23+ |
全新进口原装现货,假一罚十 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
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NXP(恩智浦)N/A |
12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
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NEXPERIASOT23 |
100 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市祥瑞智科技有限公司11年
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6000 |
22+ |
原装正品!!!优势库存!0755-83210901 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
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ON/安森美SOT23 |
98900 |
22+ |
只做原装，支持实单，来电咨询。 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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NXP/恩智浦SOT-23 |
12000 |
2021+ |
勤思达 只做原装 现货库存 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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ON/安森美SOT233 |
7906200 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
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FairchildTO-236-3 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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BSS123LT1G价格
BSS123LT1G价格：￥0.0919品牌：ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的BSS123LT1G多少钱，想知道BSS123LT1G价格是多少？参考价：￥0.0919。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BSS123LT1G批发价格及采购报价，BSS123LT1G销售排行榜及行情走势，BSS123LT1G报价。
BSS123资讯
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BSS123-7-F
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BSS123W-7-F 原装正品现货 可追溯原厂 可含税出
BSS123W-7-F 制造商:DiodesIncorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:SOT-323-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1Channel Vds-漏源极击穿电压:100V Id-连续漏极电流:170mA RdsOn-漏源导通电阻:6Ohms Vgs-栅极-源极电压:20V
BSS123瀚佳科技公司大量原装现货长期供应
瀚佳科技（深圳）有限公司主营：ST/ATM/TI/AOS/MAX/ON/NXP/AVAGO/SAMSUNG等世界品牌IC，电阻，电容，晶振，二三极管，电位器，继电器专业配套商！欢迎新老客户下单询价李先生0755-23140719/15323480719
BSS123LT1G 原装正品现货库存 ON
BSS123LT1G
BSS123中文资料Alldatasheet PDF
更多BSS123功能描述:MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS123 E6327制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-23
BSS123 E6433功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS123 E7874功能描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSS123 H6327功能描述:MOSFET CHIPLIEFERUNGEN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS123 L6327功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS123 L6433功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS123 L7874功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal Transistor 100V .17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BSS123 T/R制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 0.15A 3-Pin TO-236AB T/R
BSS123,215功能描述:MOSFET N-CH TRNCH 100V .15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
BSS123
- 制造商：
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
管件
- 描述：
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
