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京海半导体(深圳)有限公司

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BSP149H6327

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深圳信泰电子器材有限公司

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深圳市振宏微科技有限公司

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深圳市金嘉锐电子有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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BSP149

INFINEON/英飞凌SOT-223

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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BSP149

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深圳市汇莱威科技有限公司

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BSP149

INFINEON/英飞凌SOT223

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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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Infineon(英飞凌)N/A

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深圳市河锋鑫科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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原装正品 可含税交易

深圳市特莱科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

深圳市中飞芯源科技有限公司

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BSP149H6327

INFINEON/英飞凌SOT-223

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原装,可配单

深圳市智连鑫科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT-223

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深圳市金芯世纪电子有限公司

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INFINEON

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深圳市天芯威科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT-223

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新到现货,只有原装

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT223

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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOT-223-4

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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市振宏微科技有限公司

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Infineon(英飞凌)NA

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原装正品!假一罚十!

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深圳市振鑫微电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOT223

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BSP149制造商:Infineon Technologies 功能描述:Bulk 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N CH MOSFET, 200V, 480mA, SOT-223; Transistor Polarity 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-Channel 200V 0.66A SOT223

BSP149 E6327功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSP149 E6906功能描述:MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

BSP149 L6327功能描述:MOSFET N-CH 200V 0.66A SMALL SIGNAL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSP149 L6906功能描述:MOSFET SIPMOS SM-Signal Transistor 200V .14A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSP149_05制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Small-Signal-Transistor

BSP149E6327功能描述:MOSFET N-CH 200 V 2.6 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

BSP149E6327NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP149E6906NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 0.66A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

BSP149H6327XTSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:A 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SMALL SIGNAL N-CH - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOS Sm-Signal 200V 1.8Ohms 660mA 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal 200V 1.8Ohms 660mA