| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市华睿芯科技有限公司8年
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Infineon TechnologiesModule |
1262 |
23+ |
原厂原装正品现货,代理渠道,支持订货!!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
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IGBT |
55 |
23+ |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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浙江永芯科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
5000 |
23+ |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌module |
1525 |
专营功率模块,现货库存 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
200 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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EUPECIGBT |
77 |
08+ |
绝对全新原装强调只做全新原装现 |
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深圳市瀚珑科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
10250 |
24+ |
只做原装现货13691986278微信 |
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深圳中芯器材有限公司11年
留言
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INFINEONIGBT |
1000 |
19+ |
进口原装现货欢迎询价 |
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江苏芯钻时代电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONMODULE |
1000 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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EUPEC400A/1200V/I |
13523 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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EUPECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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EUPECMODULE |
8513 |
专业模块 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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EUPEC模块 |
2980 |
23+24 |
模块专业供货,优势现货,价格市场最优! |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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INFINEONModules |
563 |
19+20+ |
全新原装房间现货 可长期供货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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eupec |
2173 |
18+ |
公司大量全新正品 随时可以发货 |
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深圳市达恩科技有限公司10年
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InfineonNA |
3000 |
18+ |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
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EUPEC原装模块 |
368 |
20+ |
样品可出,原装现货 |
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BSM400GA120DN2模块，BSM400GA120DN2价格，采购在腾迅辉，BSM400GA120DN2全新原装
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BSM400GA120DN2中文资料Alldatasheet PDF
更多BSM400GA120DN2功能描述:IGBT 模块 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2C功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2F功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2FS功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2FS_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 1200V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
BSM400GA120DN2FSE32HOSA1制造商:Infineon Technologies AG
BSM400GA120DN2S功能描述:IGBT 晶体管 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
BSM400GA120DN2S_E3256功能描述:IGBT 模块 IGBT 2.5V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
