| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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SC |
200 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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9986 |
20+ |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-220 |
15000 |
17+ |
原装现货热卖 |
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深圳市振宏微科技有限公司2年
留言
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STTO-220 |
16900 |
23+ |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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STTO-220 |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
25 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
14016 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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ST原厂封装 |
3050 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ST/意法TO220ABNONISOL |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ST/意法N |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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FSCTO-220 |
38560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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NA |
3000 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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STTO-220 |
10000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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STTO-220 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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STTO-220 |
1812 |
9856 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220 |
68900 |
ST |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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STTO-220-3 |
1722 |
07+/08+ |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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STTO-220 |
10000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
BD537采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BD537图片
BD537中文资料Alldatasheet PDF
更多BD537功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD537J功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD537K功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD537KTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号：
BD537
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
800mV @ 600mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
15 @ 2A，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN 80V 8A TO220
