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B150A	文件：535.48 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER ReverseVoltage-20to200VoltsForwardCurrent-1.0Ampere FEATURES ♦TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountedapplications ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,highefficiency ♦Built-in	CHENDAMicrodiode Electronics (Jiangsu) Co.,Ltd. 辰达半导体深圳辰达半导体有限公司	CHENDA
B150A	文件：337.33 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
B150A	文件：499.09 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Forsurfacemountedapplications Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction Lowpowerloss,highefficiency Built-instrainrelief,idealforautomatedplacement Highforwardsurgecurrentc	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
B150AE	文件：438.56 Kbytes Page：6 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-TemperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHighTemperature Operation Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B150AF	文件：415 Kbytes Page：5 Pages	1.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ReducedLowForwardVoltageDrop(VF);BetterEfficiencyand CoolerOperation ReducedHigh-TemperatureReverseLeakage;Increased ReliabilityagainstThermalRunawayFailureinHigh TemperatureOperation Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFr	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B150B	文件：57.78 Kbytes Page：3 Pages	1.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •IdeallySuitedforAutomaticAssembly •LowPowerLoss,HighEfficiency •SurgeOverloadRatingto30APeak •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplication •LeadFreeFin	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B150B	文件：216.1 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers REVERSEVOLTAGE20TO100VOLTSFORWARDCURRENT1.0AMPERE Feature: ForSurfaceMountApplication Metal-SemiconductorJunctionWithGuardring EpitaxialConstruction VeryLowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMeterialHasULFlammabilityClassif	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
B150B	文件：216.38 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
B150B	文件：52.99 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-20to200Volts FORWARDCURRENT-1.0Amperes FEATURES •Metal-Semiconductorjunctionwithguardring •Epitaxialconstruction •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •TheplasticmaterialcarriesULrecognition94V-0 •Foruseinlowvoltage,highfrequency	CTC ctconline	CTC
B150B	文件：180.82 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers REVERSEVOLTAGE:20---60VCURRENT:1.0A Features ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 ◇Forsurfacemountedapplications ◇Lowprofilepackage ◇Built-instrainrelief ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Highsurgecapab	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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详细参数

型号：
AVD150
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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