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AUIRGP50B60PD1E	文件：479.21 Kbytes Page：14 Pages	WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRGP50B60PD1E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 390W TO247AD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRGP50B60PD1	文件：479.21 Kbytes Page：14 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRGP50B60PD1	文件：571.15 Kbytes Page：12 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRGP50B60PD1	文件：381.77 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.35V（Max)@IC=33A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Ultrafasttailcurrentshutoff ·AutomotiveChargers ·HighVoltageAuxiliaries	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRGP50B60PD1	文件：476.9 Kbytes Page：11 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP50B60PD1	文件：468.1 Kbytes Page：10 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •HEXFREDUltraFastSoft-RecoveryCo-PackDiode •TighterDistributionofParameter	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP50B60PD1-EP	文件：427.18 Kbytes Page：10 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE VCES=600V VCE(on)typ.=2.00V @VGE=15VIC=33A EquivalentMOSFETParameters RCE(on)typ.=61mΩ ID(FETequivalent)=50A Features •NPTTechnology,PositiveTemperatureCoefficient •LowerVCE(SAT) •LowerParasiticCapacitances •MinimalTailCurrent •H	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP50B60PD1-EP	文件：427.18 Kbytes Page：10 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGP50B60PD1PBF	文件：395.76 Kbytes Page：10 Pages	WARP2SERIESIGBTWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

产品属性

产品编号：
AUIRGP50B60PD1E
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.85V @ 15V，50A
开关能量：
255µJ（开），375µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/130ns
测试条件：
390V，33A，3.3 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 75A 390W TO247AD

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