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AUIRG4PC40S-E	文件：395.49 Kbytes Page：10 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRG4PC40S-E	文件：1.2552 Mbytes Page：9 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRG4PC40S-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 160W TO247	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
G4PC40U	文件：148.01 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.1.72V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
G4PC40W	文件：116.25 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40	文件：116.25 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A) Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40	文件：143 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A) StandardSpeedIGBT Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40	文件：214.12 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) FastCoPackIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-sof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40	文件：145.35 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Gener	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40F	文件：145.35 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) FastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Benefits •Gener	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40F	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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IRG4PC40FD	文件：214.12 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.50V,@Vge=15V,Ic=27A) FastCoPackIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-sof	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40FDPBF	文件：354.79 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recoveryanti-pa	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40FDPBF	文件：348.19 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40FPBF	文件：269.19 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40FPBF	文件：268.23 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORFastSpeedIGBT Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-247ACpackage •Lead-Free Benefit	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40K	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40K	文件：119.37 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.1V,@Vge=15V,Ic=25A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-247ACpackage Bene	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRG4PC40KD	文件：182.17 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.1V,@Vge=15V,Ic=25A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
AUIRG4PC40S-E
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 15V，31A
开关能量：
450µJ（开），6.5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
22ns/650ns
测试条件：
480V，31A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
PG-TO247-3
描述：
IGBT 600V 60A 160W TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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