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ATTINY804	文件：3.8707 Mbytes Page：522 Pages	tinyAVR짰 0-series	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
BB804	文件：60.77 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(ForFMtunersMonolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes) SiliconVariableCapacitanceDiode ●ForFMtuners ●Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes ●Uniformsquarelawcharacteristics ●IdealHifituningdevicewhenusedinlow-distortion,back-to-backconfiguration	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB804	文件：47.4 Kbytes Page：3 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDualCapacitanceDiode Features •SiliconEpitaxialPlanarDiode •Commoncathode •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Tuningofseparateresonantcircuits, push-pullcircuitsinFMrange, especiallyforcarradios MechanicalData Case:SOT-23	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BB804	文件：408.52 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode SiliconVariableCapacitanceDiode •ForFMtuners •Monolithicchipwithcommoncathodeforperfecttrackingofbothdiodes •Uniformsquarelawcharacteristics •IdealHiFituningdevicewhenusedinlow-distortion,back-to-backconfiguration •Pb-free(ROHScompliant)package1) •Qualif	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB804	文件：61.7 Kbytes Page：5 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BB804	文件：58.78 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancedoublediode DESCRIPTION TheBB804isavariablecapacitancedoublediodewithacommoncathode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOT23smallplasticSMDpackage. FEATURES •Selectedcapacitancerange •SmallplasticSMDpackage •C8:26pF;ratio:1.7 •Lowseriesresistance. AP	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BB804W	文件：58.78 Kbytes Page：8 Pages	VHFvariablecapacitancedoublediode DESCRIPTION TheBB804isavariablecapacitancedoublediodewithacommoncathode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedintheSOT23smallplasticSMDpackage. FEATURES •Selectedcapacitancerange •SmallplasticSMDpackage •C8:26pF;ratio:1.7 •Lowseriesresistance. AP	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BF804	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteSemiconductors DiscretsSemiconductors FETsForVHFAmplifiersandMixers ForLowNoiseAmplifiers Lowleakage/NoiseCurrent DualGateMosfets(NChannelDepletion) Lowleakge	AMMSEMIAmerican Microsemiconductor 美国微半导体有限公司	AMMSEMI
BGD804	文件：57.17 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingatavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Ruggedconstruction •Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS CATVsystemsi	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGD804N	文件：57.09 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION HybridamplifiermoduleinaSOT115Jpackageoperatingatavoltagesupplyof24V(DC). FEATURES •Extremelyflatgainresponse •Excellentlinearity •Extremelylownoise •Siliconnitridepassivation •Excellentreturnlossproperties •Ruggedconstruction •Goldmetallizat	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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