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BD238	文件：68.89 Kbytes Page：4 Pages	PlasticMediumPowerBipolarTransistors PlasticMediumPowerBipolarTransistors Designedforusein5.0to10Waudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits. Features •DCCurrentGain−hFE=40(Min)@IC=0.15Adc •EpoxyMeetsUL94V0@0.125in •ESDRatings:HumanBodyModel,3B;>	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BD238	文件：130.68 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION •WithTO-126package •ComplementtotypeBD233/235/237 APPLICATIONS •Formediumpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD238	文件：1.30158 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementtoBD233/BD235/BD237respectively	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
BD238	文件：43.17 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerLinearandSwitchingApplications	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BD238	文件：103.54 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD238	文件：908.67 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features ComplementarypairwithBD237. Applications Mediumpowerlinearandswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
BD238	文件：191.85 Kbytes Page：3 Pages	SiliconPNPPowerTransistor DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=-0.15A •ComplementtoTypeBD233/235/237 APPLICATIONS •Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD238	文件：109.04 Kbytes Page：3 Pages	-80V,PNPTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCBD238isaPNPepitaxialplanartransistor,itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidethecustomerswithhighDCcurrentgainandhighcollector-emitterbreakdownvoltage,etc. FEATURES HighDCcurrentgain Highcollector-emitterbreakdownvoltage	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BD238	文件：492.4 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS EPITAXIALSILICONPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearSwitchingApplications	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
BD238	文件：138.24 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION •DCCurrentGain-:hFE=40(Min)@lc=0.15A •ComplementtoTypeBD234/236/238 APPLICATIONS •Designedforusein5-10wattaudioamplifiersanddriversutilizingcomplementaryorquasicomplementarycircuits.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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