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AT28LV010	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28LV010	文件：355.32 Kbytes Page：15 Pages	1-Megabit (128K x 8) Low Voltage Paged Parallel EEPROMs	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28LV010-20	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28LV010-20JC	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28LV010-20JI	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28LV010-20PC	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28LV010-20PI	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28LV010-20TC	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28LV010-20TI	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司
AT28LV010-25	文件：498.06 Kbytes Page：9 Pages	1 Megabit 128K x 8 Low Voltage Paged CMOS E2PROM Description TheAT28LV010isahigh-performance3-voltonlyElectricallyErasableandProgrammableRead-OnlyMemory.Its1megabitofmemoryisorganizedas131,072wordsby8bits.ManufacturedwithAtmel’sadvancednonvolatileCMOStechnology,thedeviceoffersaccesstimesto200nswithpowe	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司

详细参数

型号：
AT28LV010
功能描述：
IC EEPROM 1MBIT 200NS 32PLCC
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
378
系列：
- 格式 -
存储器：
闪存
存储器类型：
FLASH
存储容量：
8M（1M x 8，512K x 16）
速度：
110ns
接口：
并联
电源电压：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-CBGA
供应商设备封装：
48-CBGA（7x7）
包装：
托盘

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