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TL1453	文件：116.09 Kbytes Page：7 Pages	DUALPULSE-WIDTH-MODULATIONCONTROLCIRCUIT	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
TL1453C	文件：116.09 Kbytes Page：7 Pages	DUALPULSE-WIDTH-MODULATIONCONTROLCIRCUIT	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司
TL1453CD	文件：422.07 Kbytes Page：8 Pages	DUALPULSE-WIDTH-MODULATIONCONTROLCIRCUIT	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
TL1453CN	文件：422.07 Kbytes Page：8 Pages	DUALPULSE-WIDTH-MODULATIONCONTROLCIRCUIT	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
TL1453CNSLE	文件：422.07 Kbytes Page：8 Pages	DUALPULSE-WIDTH-MODULATIONCONTROLCIRCUIT	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
TL1453CNSR	文件：422.07 Kbytes Page：8 Pages	DUALPULSE-WIDTH-MODULATIONCONTROLCIRCUIT	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
TL1453CPWR	文件：422.07 Kbytes Page：8 Pages	DUALPULSE-WIDTH-MODULATIONCONTROLCIRCUIT	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
U1453A	文件：672.11 Kbytes Page：20 Pages	InsulationResistanceTesters	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司
UPA1453	文件：54.53 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORARRAYHIGHSPEEDSWITCHINGUSEINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1453isPNPsiliconepitaxialPowerTransistorArraythatbuiltin4circuitsdesignedfordrivingsolenoid,relay,lampandsoon. FEATURES •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFE.LowVCE(sat). hFE=100to400(atIC=–2A) VCE(sat)=–0.3VMAX	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
UPA1453	文件：208.74 Kbytes Page：8 Pages	SILICONTRANSISTORARRAY PNPSILICONPOWERTRANSISTORARRAY HIGHSPEEDSWITCHINGUSE INDUSTRIALUSE FEATURES •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFE.LowVCE(sat). hFE=100to400(atIC=–2A) VCE(sat)=–0.3VMAX.(atIC=–2A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
UPA1453H	文件：208.74 Kbytes Page：8 Pages	SILICONTRANSISTORARRAY PNPSILICONPOWERTRANSISTORARRAY HIGHSPEEDSWITCHINGUSE INDUSTRIALUSE FEATURES •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFE.LowVCE(sat). hFE=100to400(atIC=–2A) VCE(sat)=–0.3VMAX.(atIC=–2A)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司
UPA1453H	文件：54.53 Kbytes Page：6 Pages	PNPSILICONPOWERTRANSISTORARRAYHIGHSPEEDSWITCHINGUSEINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1453isPNPsiliconepitaxialPowerTransistorArraythatbuiltin4circuitsdesignedfordrivingsolenoid,relay,lampandsoon. FEATURES •Easymountby0.1inchofterminalinterval. •HighhFE.LowVCE(sat). hFE=100to400(atIC=–2A) VCE(sat)=–0.3VMAX	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司

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深圳市华睿芯科技有限公司	ASM1453	ASMEDIA	23+	QFN	20000	原厂原装正品现货	询价
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