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C591	文件：405.25 Kbytes Page：1 Pages	250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT 250WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux21(24)TEx166.5mm(24TEfor5Voutputs) •Weight1.7kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CL-591S	文件：94.18 Kbytes Page：1 Pages	LEDForFlashLightSource LEDForFlashLightSource ●Highoutputtypewithreflectorequipped.	CITIZENCITIZEN ELECTRONICS CO., LTD. 西铁城电子株式会社	CITIZEN
CMLT591E	文件：90.12 Kbytes Page：2 Pages	PNPLowVCE(Sat)1.0Amptransistor DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMLT591EisaPNPLowVCE(SAT)1.0Amptransistor,epoxymoldedinaspacesavingSOT-563surfacemountpackageanddesignedforapplicationsrequiringahighcurrentcapabilityandlowsaturationvoltages. MARKINGCODE:L59	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMMT591	文件：137.79 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS PNPtransistor	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CMMT591	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
CMMT591A	文件：196.6 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTOR PNPEPITAXIALPLANARSILICONTRANSISTOR ComplementaryCMMT491A	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
CMPT591	文件：100.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT591EtypeisaPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighcurrent,generalpurposeamplifierapplications. MarkingCodeisC59.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT591E	文件：100.37 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTPNPSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT591EtypeisaPNPsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighcurrent,generalpurposeamplifierapplications. MarkingCodeisC59.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP591	文件：209.49 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorPNP-Amp/SwitchTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize19x19MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea3.5x4.3MILS EmitterBondingPadArea3.5x4.5MILS TopSideMetalizationAl-	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CP591V	文件：213.29 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalTransistorPNP-Amp/SwitchTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize19x19MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea3.5x4.3MILS EmitterBondingPadArea3.5x4.5MILS TopSideMetalizationAl	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

详细参数

型号：
ASITPV591
制造商：
ASI
制造商全称：
ASI
功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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