AS4C8M16D1-5BINTR_集成电路(IC) 存储器-ALLIANCE MEMORY

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原厂料号:AS4C8M16D1-5BINTR品牌:Alliance Memory, Inc.

资料说明:IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA

AS4C8M16D1-5BINTR是集成电路(IC) > 存储器。制造商ALLIANCE MEMORY/Alliance Memory, Inc.生产封装60-TFBGA的AS4C8M16D1-5BINTR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    as4c8m16d1-5bintr

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    ALLIANCE MEMORY详情

  • 厂商全称:

    Alliance Memory, Inc.

  • 资料说明:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    AS4C8M16D1-5BINTR

  • 制造商:

    Alliance Memory, Inc.

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    DRAM

  • 技术:

    SDRAM - DDR

  • 存储容量:

    128Mb(8M x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    15ns

  • 电压 - 供电:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    60-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    60-TFBGA(8x13)

  • 描述:

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 60TFBGA

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