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B530C	文件：578.78 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyDiodes ■Features ●IdeallySuitedforAutomaticAssembly ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●SurgeOverloadRatingto175APeak ●PlasticMaterial-ULFlammability ●Classification94V-0	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
B530C	文件：337.16 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
B530C	文件：617.84 Kbytes Page：9 Pages	3A,HighVoltageBoostConverter	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
B530C	文件：187.28 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers REVERSEVOLTAGE:20---60V CURRENT:5.0A Features ◇Built-instrainrelief ◇Lowpowerloss,higheffciency ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratorFlammabilityClassification94V-0 ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:250℃/10secondsatterminals ◇Lowprofilepackage ◇Forsurf	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
B530C	文件：154.62 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratorFlammabilityClassification94V-0 ◇Forsurfacemountedapplications ◇Lowprofilepackage ◇Built-instrainrelief ◇Lowpowerloss,higheffciency ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ◇Highsurgecapability ◇Highcur	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
B530C	文件：431.4 Kbytes Page：5 Pages	5.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B530CE	文件：478.38 Kbytes Page：5 Pages	5.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER DescriptionandApplications ThisSchottkyBarrierRectifierisdesignedtomeetthegeneral requirementsofcommercialapplications.Itisideallysuitedforuseas a: PolarityProtectionDiode Re-CirculatingDiode SwitchingDiode FeaturesandBenefits GuardRingDieConstructio	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
B530CQ	文件：431.4 Kbytes Page：5 Pages	5.0ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BD530	文件：83.61 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAMPLIFIERTRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BFU530W	文件：200.33 Kbytes Page：2 Pages	NPNWidebandSiliconRFTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=12V(Min.) ·LowNoise,HighBreakdownRFTransistor APPLICATIONS ·ApplicationsRequiringHighSupplyVoltagesAndHighBreakdownVoltages ·LowNoiseAmplifiersForISMApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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