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AQZ10	文件：168.37 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOS Relay Dimensions PhotoMOSRelayDimensions	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
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AQZ102	文件：132.03 Kbytes Page：7 Pages	Slim type with high capacity up to 4A DC load type also available Slimtypewithhighcapacityupto4ADCloadtypealsoavailable FEATURES 1.SlimSIL4-pinpackage (W)3.5×(D)21.0×(H)12.5mm (W).138×(D).827×(H).492inch Thecompactsizeofthe4-pinSILpackageallowshighdensitymounting. 2.Extremelylowon-resistance 3	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQZ102	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOS HE 1 Form A High Capacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQZ102D	文件：88.09 Kbytes Page：5 Pages	POWER PhotoMOS RELAYS (Voltage Sensitive Type) POWERPhotoMOSRELAYS(VoltageSensitiveType) FEATURES 1.AvoltagesensitivepowerPhotoMOSrelay ConventionalpowerPhotoMOSrelaysareconnectedexternallytoaninputlimitingresistorinordertoobtaintheappropriateLEDcurrent.Addinganinternalconstant-currentelementrender	NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQZ102D	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOS HE 1 Form A High Capacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQZ104	文件：603.13 Kbytes Page：15 Pages	PhotoMOS HE 1 Form A High Capacity FEATURES GreatlyincreasedloadcurrentinacompactDIP package Continuousloadcurrent:3.5A(AQV251G) Greatlyimprovedspecificationsallowyoutousethis inplaceofmercuryandmechanicalrelays Lowon-resistance(Typ.35mΩ,AQV251G)	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic

详细参数

型号：
AQZ10
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
PhotoMOS Relay Dimensions

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